Walter Houser Brattain

Walter Brattain

Físico
NombreWalter Houser Brattain
Nacimiento10 de febrero de 1902
Amoy,  China
Fallecimiento13 de octubre de 1987
Stanford  Estados Unidos
NacionalidadEstadounidense
PremiosPremio Nobel de Física 1956

Walter Brattain. Físico norteamericano, su principal campo de investigación fue el estudio de las propiedades de las superficies de los sólidos, y en particular el de la estructura atómica de un material a nivel superficial, la cual difiere de la del interior. Registró diversas patentes y es autor de numerosos artículos sobre física del estado sólido. En 1956 compartió el Premio Nobel de Física con John Bardeen y William Shockley por el diseño del transistor de germanio, ingenio cuyo posterior desarrollo fue la base de los modernos microprocesadores.

Síntesis biográfica

Walter Houser Brattain, nació en Amoy, China, el 10 de febrero de 1902, su padre era profesor de ciencias en Amoy, y poco tiempo después, en 1903, la familia volvió al estado de Washington en Estados Unidos.

Sus primeros estudios universitarios fueron de física en el año 1920, en Whitman College de Walla Walla, donde obtuvo su primera licenciatura , después continuó sus estudios en la universidad de Oregón en donde obtuvo su licenciatura superior donde se graduó como Master en ciencias, pasando después a realizar su doctorado en la universidad de Minnesota. Participó en varios programas militares, durante la II Guerra Mundial.


Trabajos realizados

  • En junto a Vincent E. Heaton, trabaja en el desarrollo de un dispositivo oscilador de frecuencia patrón portátil, controlado por un cristal de cuarzo.
  • En 1929 ayudado por Joseph A. Becker , realizó estudios sobre la emisión termoiónica y en problemas relacionados con rectificadores de óxido de cobre.
  • En 1950, obtuvo la patente sobre el transistor de punta de contacto junto a John Bardeen
  • En 1950, también llevó a cabo trabajos sobre el efecto fotovoltaico en los semiconductores, trabajos de los que obtuvo tres patentes.
  • En los siguientes años Brattain siguió investigando sobre semiconductores, colaborando de una manera muy especialmente con Charles Garrett, logrando obtener varias patentes.

Muerte

Brattain falleció el 13 de octubre de 1987, a la edad de 85 años, después de cuatro años de lucha contra el Alzheimer, en Seattle, Washington, Estados Unidos.


Premios recibidos

  • En 1956, recibe el Premio Nobel de Física junto a Bardeen y Shockley, por los aportes realizados sobre el transistor.
  • Stuart Ballantine Medal (The Franklin Institute), 1952.
  • John Scott Medal (City of Philadelphia), 1955.
  • Brattain también recibió varios doctorados honoris causa de distintas universidades, entre las que cabe citar:
  1. Portland University, en 1952.
  2. Whitman College, Walla Walla, en 1955.
  3. University of Minnesota, en 1957.
  4. Union College, Schenectady, en 1955.

Fuente

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